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onsemi FDG6318PZ
| Artikelnummer: | FDG6318PZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi FDG6318PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDG6318PZ.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V Leistung - max 300mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Grundproduktnummer FDG6318 FDG6318PZ Einzelheiten PDF [English] FDG6318PZ PDF - EN.pdf -
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